| 1 | 1.Електронні інтегральні мікросхемиопераційні підсилювачі:140МА101А бК0.347.004ТУ6-2370 шт.Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі.Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У.Місткість пам'яті-пам'ять відсутня; Технологія виготовлення-біполярна;Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні.Виробник:ДП""КВАЗАР-ІС"".Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""КВАЗАР-ІС"". | ООО ""Элит-Компонент"" | Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС"" | 2017-01-11 | UKRAINE | 
| 2 | 1.Електронні інтегральні схеми:Операційні підсилювачі 140УД601А бК0.347.004ТУ4-2000 шт.Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі.Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У. Місткість пам'яті- пам'ять відсутня;Технологія виготовлення-біполярна;Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні.Виробник:ДП""КВАЗАР-ІС"".Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""КВАЗАР-ІС"". | ВАТ ""Горисский Гамма"" | Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС"" | 2016-11-09 | UKRAINE | 1.89 кг | 
| 3 | 1.Електронні інтегральні схеми:Операційні підсилювачі 140УД601А бК0.347.004ТУ4-2000 шт.Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі.Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У. Місткість пам'яті- пам'ять відсу | ВАТ ""Горисский Гамма"" | Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС"" | 2016-11-09 | UKRAINE | 1.89 кг | 
| 4 | 1.Електронні інтегральні мікросхемиопераційні підсилювачі 140УД601А бКО.347.004ТУ4-40 шт.Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі.Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по1У.Місткість пам'яті-пам'ять відсутня; Технологія виготовлення-біполярна;Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні.Виробник:ДП""КВАЗАР-ІС"".Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""КВАЗАР-ІС"". | ВАТ ""Вітебський завод електровимірювальних приборів"" | Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС"" | 2016-10-24 | UKRAINE | 0.07 кг | 
| 5 | 1.Електронні інтегральні мікросхеми аналоговий перемикач143КТ1 АЕЯР.431136.003ТУ-950 шт.Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі.Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів: характеристики И1, С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У.Місткість пам'яті-пам'ять відсутня;Технологія виготовлення-біполярна;Тип запам'ятовувальних пристроїв- запам'ятовувальні пристрої відсутні.Виробник:ДП""КВАЗАР-ІС"".Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""КВАЗАР-ІС"". | ОАО ""ТНК""Дастан"" | Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС"" | 2016-10-24 | UKRAINE | 950.00 шт | 
| 6 | 1.Електронні інтегральні мікросхемиопераційні підсилювачі:140УД601А бКО.347.004ТУ4-2 шт.,140УД17Б бК0.347.004ТУ17-170 шт.Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі.Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У.Місткість пам'яті-пам'ять відсутня; Технологія виготовлення-біполярна;Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні.Виробник:ДП""КВАЗАР-ІС"".Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""КВАЗАР-ІС"". | АО""РАДИАНТ-ЭЛКОМ""Юр.адрес 105484,Москва,16 Парковая,27,РФ | Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС"" | 2016-10-24 | UKRAINE | 0.29 кг | 
| 7 | 1.Електронні інтегральні мікросхеми операційні підсилювачі: 140МА101А бК0.347.004ТУ6-3135 шт. Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних  факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У. Місткість пам'яті-пам'ять відсутня;  Технологія виготовлення-біполярна; Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні. Виробник:ДП""КВАЗАР-ІС"". Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""КВАЗАР-ІС"". | ООО ""Элит-Компонент"" | Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС"" | 2016-06-15 | UKRAINE | 3.66 кг | 
| 8 | 1.Електронні інтегральні мікросхеми операційні підсилювачі: 140УД601А бКО.347.004ТУ4-16 шт., 1408УД1 бКО.347.299-01Ту-200 шт., 140УД17А бК0.347.004ТУ17-150 шт., 140УД20А бКО.347.004ТУ14-200 шт., 140УД17Б бК0.347.004ТУ17-8 шт. Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних  факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У. Місткість пам'яті-пам'ять відсутня;  Технологія виготовлення-біполярна; Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні. Виробник:ДП""КВАЗАР-ІС"". Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""КВАЗАР-ІС"". | АО""РАДИАНТ-ЭЛКОМ""  Юр.адрес 105484,Москва,16 Парковая,27,РФ | Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС"" | 2016-06-14 | UKRAINE | 0.88 кг | 
| 9 | 1.Електронні інтегральні мікросхеми операційні підсилювачі: 140УД17Б бК0.347.004ТУ17-250 шт., 1408УД1 бК0.347.299-01ТУ-59 шт. Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних  факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У. Місткість пам'яті-пам'ять відсутня;  Технологія виготовлення-біполярна; Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні. Виробник:ДП""КВАЗАР-ІС"". Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""КВАЗАР-ІС"". | АО""РАДИАНТ-ЭЛКОМ""Юр.адрес 105484,Москва,16 Парковая,27,РФ | Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС"" | 2016-04-28 | UKRAINE | 0.46 кг | 
| 10 | 1.Електронні інтегральні схеми: Операційні підсилювачі  140УД601А бК0.347.004ТУ4-4000 шт. Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних  факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У.  Місткість пам'яті- пам'ять відсутня; Технологія виготовлення-біполярна; Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні. Виробник:ДП""КВАЗАР-ІС"". Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""КВАЗАР-ІС"". | ВАТ ""Горисский Гамма"" | Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС"" | 2016-04-25 | UKRAINE | 4.00 кг |